IXTK210P10T

製造商: IXYS
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-264-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 210 A
Rds On - 漏-源電阻: 7.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 15 V, + 15 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 4.5 V
Qg - 閘極充電: 740 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1.04 kW
通道模式: Enhancement
公司名稱(chēng): TrenchP
系列: IXTK210P10
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 55 ns
互導(dǎo) - 最小值: 90 S
高度: 26.16 mm
長(zhǎng)度: 19.96 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 98 ns
原廠包裝數(shù)量: 25
子類(lèi)別: MOSFETs
類(lèi)型: TrenchP Power MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 165 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 90 ns
寬度: 5.13 mm
每件重量: 10 g