U74HC4051G-SOP16R-TG_UTC代理商導(dǎo)讀
由內(nèi)部高壓啟動開關(guān)通過功率管Drain 提供起始電流對VCC 電容充電，當(dāng)VCC 電壓達(dá)到工作點(diǎn)（VCCon）20V 時，IC 開始工作，再由變壓器輔助繞組線路對VCC 電容進(jìn)行充電。
U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三種方式進(jìn)行封裝包裹。
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UTF3055G-TO252R-TG
一旦OVP 發(fā)生，功率管關(guān)閉，如果過電壓解除，系統(tǒng)將在下一次上電后恢復(fù)正常工作。VCC 過壓保護(hù)功能是自動恢復(fù)重啟的保護(hù)。
半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今 ，先后經(jīng)歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導(dǎo)體材料 。
待機(jī)時輔助線圈對VCC 電容充電電流較小，IC 靜態(tài)功耗沒有太大變化，因此導(dǎo)致待機(jī)進(jìn)入burst mode 后，VCC 電容電壓會在OFF time 中容易觸碰VCCMIN，發(fā)生VCC自動重啟誤動作。
（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron * Qg等。（2）根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)； SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；。
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UTC代理商
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
U74LVC1G86G-SOT23.5R-TG 78L09MG-SOT89R-TG U74HC595AG-SOP16R-TG UPC817CG-LSOP4R-TG UT2305G-SC59.3R-TZ0G 。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
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在IC 的VCC 腳位上電過程中，內(nèi)部高壓啟動開關(guān)管通過Drain 腳位對VCC 腳位電容充電，VCC 上電到VCCon 后，內(nèi)部高壓啟動開關(guān)關(guān)閉，停止對VCC 腳位電容充電，啟動過程結(jié)束。
重載和中載：FB 調(diào)整芯片工作在PWM mode 里，F(xiàn)B 值調(diào)整CS 值。
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