類型 描述 選擇
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
39A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
64 毫歐 @ 20.1A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 6mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
33 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1118 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO247-4-3
封裝/外殼
TO-247-4
基本產(chǎn)品編號
IMZA65
IPP045N10N3 G
IPT044N15N5
IPT030N12N3 G
IPA90R1K0C3
IPB65R660CFDA
IPD65R225C7
IMW65R048M1H
IPD50R399CP
IMZA65R048M1H
IMZA65R027M1H
IPW65R110CFDA
IMW65R072M1H
IPB60R190P6
IPD95R750P7
IMBG65R057M1H
IPP65R190CFDA
IPA90R1K2C3
IPA90R1K2C3
SPP07N65C3
BC 847BW H6327
BC 857B E6327
BAS 21U E6327
