FET 類型
N 通道
技術(shù)
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
142 毫歐 @ 8.9A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 3mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
15 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
496 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO247-3-41
封裝/外殼
TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào)
IMW65R107
