技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
配置
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
30V，20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
250mA，880mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1.5 歐姆 @ 10mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
1.5nC @ 5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
33pF @ 5V
功率 - 最大值
270mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本產(chǎn)品編號
NTJD4158
