產(chǎn)品屬性
屬性值
選擇屬性
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術(shù):
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續(xù)漏極電流:
23 A
Rds On-漏源導通電阻:
150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
4 V
Qg-柵極電荷:
62.5 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
190 W
通道模式:
Enhancement
系列:
STP28NM60ND
封裝:
Tube
商標:
STMicroelectronics
配置:
Single
下降時間:
27 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
21.5 ns
工廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:
92 ns
典型接通延遲時間:
23.5 ns
單位重量:
2 g
STP28NM60ND MOSFET
發(fā)布時間:2023/3/3 9:58:00 訪問次數(shù):59 發(fā)布企業(yè):深圳市恒佳微電子有限公司
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