GS66508B-MR

製造商: GaN Systems
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): GaN-on-Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: DIE
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 30 A
Rds On - 漏-源電阻: 63 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 7 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 6.1 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : -
通道模式: Enhancement
公司名稱(chēng): GaNPX
系列: GS665xx
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: GaN Systems
配置: Single
開(kāi)發(fā)套件: GS665MB-EVB, GS-EVB-HB-66508B-ON1, GSP665x-EVBIMS2, GS1200BTP-EVB, GSWP300W-EVBPA, GS66508B-EVBDB1
下降時(shí)間: 5.2 ns
濕度敏感: Yes
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.7 ns
原廠包裝數(shù)量: 250
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: E-HEMT Power Transistor
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 8 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 4.1 ns
零件號(hào)別名: GS66508B-E01-MR