制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 46 A
Rds On-漏源導通電阻: 73 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.2 V
Qg-柵極電荷: 40 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: IXYS
產(chǎn)品: MOSFET
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
IXFH46N65X3
發(fā)布時間:2023/3/10 14:47:00 訪問次數(shù):61
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