SQJ844AEP-T1

SQJ844AEP-T1制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 13.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: TrenchFET
系列: SQ
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Vishay / Siliconix
配置: Dual
下降時間: 7 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S
高度: 1.04 mm
長度: 6.15 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 4.5 ns
寬度: 5.13 mm
單位重量: 506.600 mg