接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù) 2/2
Duplex 全
Receiver Hysteresis 500mV
數(shù)據(jù)速率 120Kbps
電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查，8月初美商美光(Micron)將正式宣布整并日商爾必達(dá)(Elpida)以及旗下子公司瑞晶。
合并后的新美光集團(tuán)DRAM方面投片將高達(dá)每月350K，遠(yuǎn)超過SK海力士(Hynix)的270K，直逼三星(Samsung)每月360K的產(chǎn)能。從營收比重方面觀察，DRAMeXchange認(rèn)為，美光正式入主爾必達(dá)后，現(xiàn)有DRAM產(chǎn)能與產(chǎn)品別將做進(jìn)一步的整并與調(diào)整，預(yù)計(jì)產(chǎn)業(yè)版圖與供應(yīng)鏈關(guān)系亦會(huì)在未來產(chǎn)生重大變革。
從今年首季DRAM營收市占率做分析，原美光與爾必達(dá)市占率各為13.0%及13.8%，各自與位居第二的韓系廠SK海力士的26.5%有顯著差異；整并完成以后，新美光集團(tuán)市占與SK海力士?jī)H在伯仲之間，成為僅次三星、與SK海力士并列第二的記憶體品牌廠。
再者，從行動(dòng)式記憶體方面來觀察，美光市占僅2.7%，遠(yuǎn)低于爾必達(dá)的18.5%以及SK海力市的21.7%。整并之后，夾帶美光優(yōu)異的NAND Flash制程以及爾必達(dá)在行動(dòng)式記憶體的領(lǐng)先地位，預(yù)計(jì)在eMCP/MCP領(lǐng)域?qū)⑻岣呤姓�，DRAM寡占態(tài)勢(shì)儼然成形，產(chǎn)業(yè)將回歸共榮共存的健康局面。
隨著美光正式整并爾必達(dá)，全新的新美光集團(tuán)將集結(jié)臺(tái)、美、日三方 DRAM廠的產(chǎn)能，各晶圓廠將各司其職，與三星、SK海力士同為DRAM產(chǎn)業(yè)的三大勢(shì)力之一。從美光的規(guī)劃來看，新加坡Tech廠原有的DRAM產(chǎn)能正積極轉(zhuǎn)入NAND制品，未來僅會(huì)留下少量利基型記憶體，基本上Tech廠將成為美光NAND Flash的生產(chǎn)重鎮(zhèn)，DRAM未來的生產(chǎn)重心將放在臺(tái)灣與日本二地。
首先在原爾必達(dá)廣島廠方面，目前總投片量已經(jīng)來到每月100K，其中在行動(dòng)式記憶體的投片更高達(dá)90%，以滿足主流客戶的需求，按照美光的規(guī)劃，美光將借重爾必達(dá)在DRAM方面的研發(fā)實(shí)力，未來美光的DRAM研發(fā)中心將設(shè)在廣島廠，成為最重要的DRAM研發(fā)兼生產(chǎn)基地。
而在臺(tái)灣方面，瑞晶與華亞科亦是新美光集團(tuán)生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型記憶體與其他DRAM相關(guān)產(chǎn)品的重要據(jù)點(diǎn)，二者合計(jì)產(chǎn)能高達(dá)每月最少200K；目前瑞晶已從原先單純生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型記憶體，已轉(zhuǎn)為標(biāo)準(zhǔn)型記憶體與行動(dòng)式記憶體并重的工廠，華亞科則是將重心放在標(biāo)準(zhǔn)型記憶體與伺服器記憶體的生產(chǎn)，同時(shí)隨著學(xué)習(xí)曲線逐步拉高行動(dòng)式記憶體的投片比例。
