Infineon 650V TRENCHSTOP™ 6溝槽式場截止IGBT可將總損耗降低多達(dá)20%，非常適合用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該IGBT具有較大的短路額定電流和650V的更高阻斷電壓，因此對(duì)于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健設(shè)計(jì)而言至關(guān)重要。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, + 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 34 A
Pd-功率耗散: 35.3 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT6
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 17 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: IGBTs
商標(biāo)名: TRENCHSTOP
零件號(hào)別名: IKA15N65ET6 SP001701336
單位重量: 2.208 g
