品牌：美高森美
電流：100A
電壓：300V
工作溫度(Max)：175℃
工作溫度(Min)：-55 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝
貨期期：2天
庫存：1000
發(fā)貨地：江蘇蘇州
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為
MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC
MOSFET的結(jié)構(gòu)
MOSFET是Metal-Oxide-SILicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
器件基于表面感應(yīng)的原理，是利用垂直的柵壓VGS實(shí)現(xiàn)對水平IDS的控制。它是多子（多數(shù)載流子）器件。用跨導(dǎo)描述其放大能力。MOSFET晶體
管的截面S＝Source，G=Gate,D=Drain。
NMOS和PMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS
的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。如圖所示，兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長度L，
而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能后確認(rèn)
具體的源和漏。
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