CSD18535KTTT
參數(shù)名稱參數(shù)值Source Content uidCSD18535KTTTBrand NameTexas Instruments是否無鉛
不含鉛是否Rohs認證
不符合生命周期ActiveObjectid8166685777包裝說明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3Reach Compliance Codenot_compliantECCN代碼EAR99HTS代碼8541.29.00.95Date Of Intro2016-03-27風險等級1.14Samacsys DescriptionMOSFET 60-V, N channel NexFET power MOSFET, single D2PAK, 2 mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175Samacsys ManufacturerTexas InstrumentsSamacsys Modified On2023-03-07 16:10:32YTEOL15其他特性AVALANCHE RATED雪崩能效等級（Eas）616 mJ外殼連接DRAIN配置SINGLE最小漏源擊穿電壓60 V最大漏極電流 (ID)200 A最大漏源導(dǎo)通電阻0.0029 ΩFET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反饋電容 (Crss)31 pFJESD-30 代碼R-PSSO-G3JESD-609代碼e3濕度敏感等級2元件數(shù)量1端子數(shù)量3工作模式ENHANCEMENT MODE最高工作溫度175 °C最低工作溫度-55 °C封裝主體材料PLASTIC/EPOXY封裝形狀RECTANGULAR封裝形式SMALL OUTLINE峰值回流溫度（攝氏度）260極性/信道類型N-CHANNEL最大脈沖漏極電流 (IDM)400 A表面貼裝YES端子面層MATTE TIN端子形式GULL WING端子位置SINGLE處于峰值回流溫度下的最長時間30晶體管應(yīng)用SWITCHING晶體管元件材料SILICON
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發(fā)布時間:2023/3/24 11:06:00 訪問次數(shù):51
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