NTD5865NLT4G

NTD5865NLT4G制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 46 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 71 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi
配置: Single
下降時間: 4.4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 15 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 8.4 ns
單位重量: 340 mg