FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
120 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
230mA（Tj）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-92-3
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
基本產(chǎn)品編號
VN1206
