類型 描述 選擇
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
43.3A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
80 毫歐 @ 17.6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
161 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
391W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO247-3
封裝/外殼
TO-247-3
基本產(chǎn)品編號
IPW65R080
報告產(chǎn)品信息錯誤
新建參數(shù)搜索
F280025PMSR
TMS320F28335PTPS
TMS320F28335PTPQ
TMS320F28069FPZT
TMS320F28069FPFPQ
TMS320F28379DPTPS
TMS320F28379DZWTS
TMS320F28069PZT
TPS546D24RVFR
TPS544B20RVFT(小包）500個
A4989SLDTR-T
TMS320C6713BZDP300
IPW65R080CFDA
STM32F207IGH6
LM5160QPWPRQ1
STM32F207IGH6
