型號：MBRD835LT4G
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MBRD835LT4G
Brand Name
ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1998183529
包裝說明
DPAK-3
針數(shù)
3
制造商包裝代碼
369C
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China, Malaysia, Vietnam
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.80
Factory Lead Time
77 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級
1.07
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.25
其他特性
FREE WHEELING DIODE
應(yīng)用
POWER
外殼連接
CATHODE
配置
SINGLE
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF)
0.41 V
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
最大非重復(fù)峰值正向電流
75 A
元件數(shù)量
1
相數(shù)
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-65 °C
最大輸出電流
8 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
最大重復(fù)峰值反向電壓
35 V
子類別
Rectifier Diodes
表面貼裝
YES
技術(shù)
SCHOTTKY
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
