FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
47.9A（Ta），195A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
1.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
10955 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.35W（Ta），104W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK® SO-8
封裝/外殼
PowerPAK® SO-8
基本產(chǎn)品編號(hào)
SIRA99
