品牌：美高森美
電流：100A
電壓：1200V
工作溫度(Max)：+175℃
工作溫度(Min)：-55 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝
貨期期：2天
庫(kù)存：1000
發(fā)貨地：江蘇蘇州
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為
MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。
MOSFET的結(jié)構(gòu)
MOSFET是Metal-Oxide-SILicon Field Effect Transistor的英文縮寫(xiě)，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS器件
基于表面感應(yīng)的原理，是利用垂直的柵壓VGS實(shí)現(xiàn)對(duì)水平IDS的控制。它是多子（多數(shù)載流子）器件。用跨導(dǎo)描述其放大能力。MOSFET晶體管的
截面圖如圖1所示在圖中，S＝Source，G=Gate,D=Drain。
MOS晶體管的應(yīng)用
mos管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單
等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。
場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置
了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會(huì)損壞。
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