FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Ta），23.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
20 毫歐 @ 7.7A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
29.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），15W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
MLPAK33
封裝/外殼
8-PowerVDFN
