參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IRFR3710ZTRPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006012166
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
53 weeks 1 day
風險等級
0.84
Samacsys Description
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-04-06 09:52:54
YTEOL
5.92
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas）
150 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
42 A
最大漏極電流 (ID)
42 A
最大漏源導通電阻
0.018 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252AA
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
140 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
220 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
子類別
FET General Purpose Power
表面貼裝
YES
端子面層
MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
