技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝/外殼:
TO-220AB-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
60 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
30 A
Rds On - 漏-源電阻:
50 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 :
4 V
Qg - 閘極充電:
46 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
88 W
通道模式:
Enhancement
系列:
IRFZ
封裝:
Tube
品牌:
Vishay Semiconductors
配置:
Single
下降時(shí)間:
52 ns
高度:
15.49 mm
長(zhǎng)度:
10.41 mm
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
100 ns
原廠(chǎng)包裝數(shù)量:
1000
子類(lèi)別:
MOSFETs
晶體管類(lèi)型:
1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間:
29 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間:
13 ns
寬度:
4.7 mm
零件號(hào)別名:
IRFZ34PBF-B
IRFZ34PBF
發(fā)布時(shí)間:2023/4/21 16:23:00 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):50 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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