制造商:
Toshiba
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
SiC
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:
40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
182 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
5 V
Qg-柵極電荷:
57 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
182 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
商標(biāo):
Toshiba
下降時(shí)間:
36 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
43 A
工廠包裝數(shù)量:
30
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
82 ns
典型接通延遲時(shí)間:
71 ns
TW045N120C,S1F MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2023/4/23 10:53:00 訪問次數(shù):49 發(fā)布企業(yè):深圳市恒佳微電子有限公司
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