IRF9610PBF

製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220AB-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 200 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 1.8 A
Rds On - 漏-源電阻: 3 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 11 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 20 W
通道模式: Enhancement
系列: IRF
封裝: Tube
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 8 ns
高度: 15.49 mm
長度: 10.41 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
原廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標(biāo)準斷開延遲時間: 10 ns
標(biāo)準開啟延遲時間: 8 ns
寬度: 4.7 mm
零件號別名: IRF9610PBF-BE3
每件重量: 2 g