類別
分立半導體產品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 279μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
222 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
16900 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-7
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
基本產品編號
IPB015
更多型號加V:-186-8032-8178-
AT90CAN128-16AU ATS692LSHTN-RSNPH-T CY7C65632-28LTXCT FDB52N20TM MAX16936SAUEA/V+T PH0461NL MIC2102YML-TR VN5E050MJ-E VN750B5TRE 10M40DCF256I7GVC VN1160TR-E MT9172APR1 VMMK-2503-TR1G 5M240ZM68C5N 10M08DAF256I7G TM4C1294NCPDTI3R IXTA3N120HV MC33771BSP1AER2 IPB015N08N5ATMA1
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