製造商: GaN Systems
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): GaN-on-Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: DIE
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 7.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 260 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 1.6 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : -
通道模式: Enhancement
公司名稱: GaNPX
系列: GS665xx
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: GaN Systems
配置: Single
開發(fā)套件: GS665MB-EVB
濕度敏感: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
原廠包裝數(shù)量: 250
子類別: MOSFETs
晶體管類型: E-HEMT Power Transistor
零件號別名: GS66502B-E01-MR
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