制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 110 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 157 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: TrenchFET
系列: SQ
配置: Single
下降時間: 13 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 90 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
包裝數(shù)量：800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 37 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
單位重量: 4 g
