STL120N10F8 是首款采用 STripFET F8 溝槽 MOSFET 技術(shù)制造的 100 V 器件，完全符合工業(yè)級(jí)要求。該 MOSFET 通過降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體漏二極管特性，節(jié)省了能源，并能確保電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制電路的低噪聲。
特性 出色的體漏二極管柔軟度 低輸出電容和串聯(lián)電阻 低柵漏電荷 緊密的柵極閾值電壓分布 極高的電流能力 優(yōu)點(diǎn) 低噪聲 關(guān)斷時(shí)漏源電壓的低尖峰和短振蕩時(shí)間 快速關(guān)斷和低開關(guān)損耗 輕松并聯(lián) 高短路穩(wěn)健性
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