產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PF-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 620 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 44.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
系列: STFW12N120K5
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 18.5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: -
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
300
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 68.5 ns
典型接通延遲時間: 23 ns
單位重量: 5.200 g