FF200R12KT4
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FF200R12KT4
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1771018212
零件包裝代碼
MODULE
包裝說明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
針數(shù)
7
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險等級
7.67
Samacsys Description
Infineon FF200R12KT4, IGBT Module, Dual, 320 A max, 1200 V, 3-Pin
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-02-22 15:33:28
YTEOL
5.38
外殼連接
ISOLATED
最大集電極電流 (IC)
320 A
集電極-發(fā)射極最大電壓
1200 V
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
門極-發(fā)射極最大電壓
20 V
JESD-30 代碼
R-XUFM-X7
元件數(shù)量
2
端子數(shù)量
7
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
UNSPECIFIED
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1100 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
子類別
Insulated Gate BIP Transistors
表面貼裝
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管元件材料
SILICON
標(biāo)稱斷開時間 (toff)
700 ns
標(biāo)稱接通時間 (ton)
680 ns
VCEsat-Max
2.15 V
產(chǎn)品型號齊全
FF50R12RT4
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF100R12KS4
FF150R12RT4
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R17KE4
FF200R12KT3
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF300R12KT4
FF300R12KT3
FF300R12KE3
FF300R12KS4
FF400R12KT4
FF400R12KT3
FF400R12KE3
FF450R12KT4
FF450R12KE4
FF450R12ME4
FF450R12ME3
FF450R17ME4
FF600R12ME4
FF600R12ME3
FF600R17KE3
FF800R17KE3
