技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
76A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
37 毫歐 @ 29.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.48mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
121 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
5243 pF @ 400 V
