未來，汽車芯片行業(yè)也將成為存儲(chǔ)軍們新的戰(zhàn)略重地

華雄集團(tuán)董事長朱峻咸分析，先從易失性存儲(chǔ)器DRAM和SRAM來講，含義上，DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，簡稱內(nèi)存，其處理速度較快，但一旦斷電，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)便會(huì)丟失，數(shù)據(jù)保留時(shí)間短；SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)器，存取速度快，無需刷新電路也可以保存數(shù)據(jù)。價(jià)格上，SRAM相比DRAM較貴；應(yīng)用領(lǐng)域上，SRAM可用于汽車電子領(lǐng)域，DRAM可用于車載信息娛樂系統(tǒng)（Infotainment）、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、車載信息系統(tǒng)（Telematics）和數(shù)字儀表盤（D-cluster）等。
據(jù)華雄集團(tuán)資料顯示，而非易失性存儲(chǔ)器——閃存（Flash），主要分為NORFlash和NANDFlash兩類。兩者對(duì)比來看，NANDFlash寫入性能好，大容量下成本低，體積也更小。在汽車應(yīng)用領(lǐng)域，NANDFlash主要作用在長時(shí)間存儲(chǔ)行駛或軟件等連續(xù)數(shù)據(jù)，應(yīng)用于ADAS系統(tǒng)、IVI系統(tǒng)、汽車中控等。而NORFlash主要應(yīng)用于小容量、內(nèi)容更新少的場景，其獨(dú)有的功能特性剛好可以用于自動(dòng)緊急剎車系統(tǒng)（AEB）、胎壓偵測器（TPMS）、道路偏移警示等ADAS系統(tǒng)。
EEPROM是一種帶電可擦可編程只讀的存儲(chǔ)器，具備掉電后數(shù)據(jù)不丟失的特點(diǎn)。據(jù)悉，傳統(tǒng)的EEPROM可以保存100年，可擦寫100w次。目前EEPROM產(chǎn)品可被用于汽車電子的車身控制模塊、駕駛輔助系統(tǒng)以及信息娛樂與車聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等。
作為新型存儲(chǔ)器之一，F(xiàn)RAM（鐵電存儲(chǔ)器）擁有高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗等優(yōu)秀特性，被認(rèn)為是可以替代傳統(tǒng)EEPROM和Flash的產(chǎn)品，不過制造成本較高。FRAM技術(shù)可以幫助汽車制造商大幅降低系統(tǒng)的復(fù)雜性及提高數(shù)據(jù)的完整性，據(jù)悉，實(shí)際上FRAM目前已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車的關(guān)鍵電子系統(tǒng)。
Part.3
力爭過關(guān)，打通供應(yīng)鏈體系
與消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品相比，車規(guī)級(jí)別的芯片進(jìn)入門檻高、認(rèn)證周期長，對(duì)技術(shù)要求也更嚴(yán)格。欲入行先通關(guān)，芯片進(jìn)入汽車電子主流供應(yīng)鏈體系需要進(jìn)行一系列的標(biāo)準(zhǔn)測試。
目前來說，車規(guī)級(jí)芯片需要通過AEC-Q系列標(biāo)準(zhǔn)、IATF16949合規(guī)認(rèn)證、ASPCIE認(rèn)證、ISO26262功能安全認(rèn)證等系列關(guān)卡；同時(shí)還需符合部分車廠的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)才能上車，例如大眾VW80000標(biāo)準(zhǔn)、通用汽車GMW3172標(biāo)準(zhǔn)等。
而上述的一些認(rèn)證步驟，車載存儲(chǔ)產(chǎn)品也必不可免，產(chǎn)品在滿足性能、成本、容量需求以外，只有達(dá)到了車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，才能保證在嚴(yán)酷行車環(huán)境下安全、穩(wěn)定且持久地使用。但整套認(rèn)證流程時(shí)間可能長達(dá)4-5年，其認(rèn)證周期較長、流程繁瑣，導(dǎo)致市場門檻高，市場格局寡頭明顯，不過這并不能阻礙迫切入關(guān)的存儲(chǔ)軍。對(duì)芯片企業(yè)而言，要進(jìn)入汽車行業(yè)將面臨的是極高的技術(shù)、生產(chǎn)和時(shí)間成本的考驗(yàn)。
從產(chǎn)品類型上看，三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、佰維存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新等存儲(chǔ)企業(yè)的車載存儲(chǔ)產(chǎn)品類型主要集中在DRAM和NANDFlash兩大主流存儲(chǔ)器產(chǎn)品；而聚辰半導(dǎo)體、復(fù)旦微電子、兆易創(chuàng)新、北京君正等一些芯片設(shè)計(jì)廠商在EEPROM、NORFlash等有部署，多家企業(yè)已成功拿到了打入汽車行業(yè)相關(guān)的通行證，產(chǎn)品已陸續(xù)上車。
具體來看，三星產(chǎn)品系列已拓展到LPDDR5X、eMMC、UFS、PCLeSSD等；美光產(chǎn)品種類較為齊全DRAM產(chǎn)品從最傳統(tǒng)的DDR升級(jí)到DDR4、LPD2、LPD5及GDDR6，在NAND、NORFlash及MCP等方面皆有涉及。
近年來，車規(guī)芯片正在快速發(fā)展，從國內(nèi)布局來看，為鼓勵(lì)和推動(dòng)汽車芯片產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)�；l(fā)展，國家陸續(xù)發(fā)布了一些汽車芯片的補(bǔ)充制度和支持政策，同時(shí)部分企業(yè)正加速推動(dòng)車用存儲(chǔ)芯片的研發(fā)和應(yīng)用。
存儲(chǔ)產(chǎn)品進(jìn)度上，兆易創(chuàng)新去年在DDR4產(chǎn)品基礎(chǔ)上，推出了DDR3L產(chǎn)品系列，今年會(huì)在營收體量上積極去推進(jìn)，還將繼續(xù)豐富完善DARM產(chǎn)品線；在NORFlash、NANDFlash上均推出了全系列的車規(guī)產(chǎn)品，累計(jì)出貨量已超過1億顆，NANDFlash車規(guī)產(chǎn)品也在積極進(jìn)行市場推廣。兆易創(chuàng)新DRAM業(yè)務(wù)處于起步階段，而車規(guī)級(jí)NorFlash大容量芯片占比據(jù)持續(xù)上升，出貨平均容量也持續(xù)提升。從產(chǎn)品上看，GD25SPINORFlash的容量覆蓋512KB～2GB，能夠滿足多種實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)所需的不同存儲(chǔ)空間。
復(fù)旦微電子的FM24C/FM25系列EEPROM車規(guī)產(chǎn)品已通過AEC-Q100Grade1車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，產(chǎn)品工作溫度擴(kuò)展至-40℃~+125℃，下一階段，其I2C、SPI接口EEPROM的全系列容量產(chǎn)品計(jì)劃于年內(nèi)完成AEC-Q100Grade1車規(guī)級(jí)驗(yàn)證。
而佰維存儲(chǔ)車載存儲(chǔ)產(chǎn)品涉及SSD、BGASSD、車載eMMC、LPDDR、CFast卡、SD卡等，已經(jīng)滿足行車監(jiān)控器、行車記錄儀、車載娛樂內(nèi)容以及自動(dòng)駕駛高精度地圖等應(yīng)用的需求。此前為了加強(qiáng)車載存儲(chǔ)的研發(fā)，佰維存儲(chǔ)還與太極半導(dǎo)體簽約戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器方面進(jìn)行深化合作。
目前，北京君正旗下北京矽成（ISSI）已具備成熟的車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)平臺(tái)，生產(chǎn)流程中的所有環(huán)節(jié)均已通過ISO/TS16949認(rèn)證，且所有產(chǎn)品均達(dá)到或超過AEC-Q100，并已部署高速低功耗SRAM，低中密度DRAM，NOR/NANDFlash，嵌入式FlashpFusion，及eMMC等芯片產(chǎn)品。據(jù)悉，北京君正旗下上海芯楷目前已有產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在做產(chǎn)品推廣。上海芯楷是從非易失存儲(chǔ)器（NORFlash）產(chǎn)品開始，依據(jù)新興市場對(duì)芯片產(chǎn)品的需求，逐步開發(fā)NANDFlash、PSRAM（IOTRAM）存儲(chǔ)系列產(chǎn)品。
結(jié)語
總體而言，在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)遭遇重?fù)粝萑肽婢澈�，企業(yè)正在努力使用車載存儲(chǔ)芯片開辟一條新興之路。雖道阻且長，但行則將至，若行而不輟，未來可期。未來，汽車芯片行業(yè)也將成為存儲(chǔ)軍們新的戰(zhàn)略重地。