制造商:
Vishay
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
DIE
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量:
3 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V, 200 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20 A, 30 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.5 V, 2.5 V
Qg-柵極電荷:
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
48 W, 60 W
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
TrenchFET
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標(biāo):
Vishay Semiconductors
配置:
Triple
下降時(shí)間:
2 ns, 10 ns, 19 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:
16 S, 19 S, 65 S
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
3 ns, 9 ns, 12 ns
工廠包裝數(shù)量:
2000
子類(lèi)別:
MOSFETs
晶體管類(lèi)型:
2 N-Channel, 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
15 ns, 22 ns, 43 ns
典型接通延遲時(shí)間:
7 ns, 8 ns, 10 ns
SQUN702E-T1_GE3 MOSFET 全新原裝供應(yīng)
發(fā)布時(shí)間:2023/6/8 10:28:00 訪問(wèn)次數(shù):44 發(fā)布企業(yè):深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司
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