SIS890ADN-T1-GE3制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 24.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 25.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 19.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay / Siliconix
下降時(shí)間: 4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 45 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: TrenchFET Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
單位重量: 1 g
SIS890ADN-T1-GE3
發(fā)布時(shí)間:2023/6/12 9:16:00 訪問次數(shù):45 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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