TPHR6503PL1,LQ制造商: Toshiba
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 420 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 410 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 110 nC
最小工作溫度: -
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 210 W
通道模式: Enhancement
系列: UMOS IX-H
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Toshiba
配置: Single
下降時間: 10 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
零件號別名: TPHR6503PL1,LQ(M
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