1.5 代碳化硅 (SiC) 肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD) 專為電氣工程師設(shè)計(jì)熱耗散更低、性能更高的系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)�？焖倩謴�(fù)二極管 (FRD) 在關(guān)斷操作時(shí)有一些反向恢復(fù)電流，當(dāng)主開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)會(huì)產(chǎn)生額外的開(kāi)關(guān)損耗。相比之下，肖特基勢(shì)壘二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流，因此可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下使用，但由于更高的泄漏，它具有較低的擊穿電壓的缺點(diǎn)。碳化硅 (SiC) 器件比硅器件具有更高的帶隙，這意味著泄漏電流非常低。SiC 器件還具有更高的電子速度，因此開(kāi)關(guān)性能優(yōu)于硅器件。
PANJIT 的 1.5 代碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管經(jīng)過(guò)優(yōu)化，對(duì)正向電壓 (VF) 具有較低的溫度依賴性，因此可以在更高的溫度操作中抑制傳導(dǎo)損耗。通過(guò)在金屬接觸區(qū)域添加 P+ 層，它具有結(jié)勢(shì)壘肖特基 (JBS) 結(jié)構(gòu)。因此，浪涌電流容量可以顯著提高，這有助于確保冷啟動(dòng)系統(tǒng)運(yùn)行的系統(tǒng)級(jí)可靠性。PANJIT 的 1.5 代碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管系列具有 650 V 和 1,200 V 的擊穿電壓、電流額定值為 4 A 至 40 A，提供多種分立封裝，例如 TO- 220AC、TO-252AA 和 TO-247AD-3LD。
特性 零反向恢復(fù)損耗 無(wú)溫度依賴性的開(kāi)關(guān)操作 增強(qiáng)浪涌電流能力 高結(jié)溫：+175°C 低傳導(dǎo)損耗 應(yīng)用 服務(wù)器電源 電信電源 PC 電源 光伏逆變器 儲(chǔ)能系統(tǒng)/電池管理系統(tǒng) 電動(dòng)汽車充電樁 UPS 工業(yè)電機(jī) 家電 數(shù)字電視
