IPB95R450PFD7ATMA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 13.3 A
Rds On - 漏-源電阻: 450 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 43 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 104 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 4.7 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8.7 ns
原廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 45 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 9 ns
零件號(hào)別名: IPB95R450PFD7 SP005547014