制造商: Microchip
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 14 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 710 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 120 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: Power MOS 8
封裝: Tube
商標(biāo): Microchip Technology
下降時間: 26 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 16 S
高度: 5.31 mm
長度: 21.46 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 29 ns
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子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 95 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
寬度: 16.26 mm
單位重量: 6 g