封裝 / 箱體:
TO-252-3
晶體管極性:
P-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
13.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
124 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
90 W
TOSHIBA/東芝 TJ50S06M3L(T6L1,NQ MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2023/7/7 10:45:00 訪問(wèn)次數(shù):52 發(fā)布企業(yè):深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司
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