bychip可替代AO6601導(dǎo)讀
MOS管原理本文MOS管的原理說(shuō)明以 增強(qiáng)型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎(chǔ)的 N 型半導(dǎo)體 和 P 型半導(dǎo)體。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運(yùn)用MOS管，而不是死記怎么用。
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理，實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢(shì)必要來(lái)一篇文章，徹底掌握mos管！。
AO6601" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
bychip可替代
這個(gè)簡(jiǎn)單點(diǎn)，包括生產(chǎn)難度，實(shí)現(xiàn)成本，實(shí)現(xiàn)方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說(shuō)白了就是NMOS相對(duì) PMOS 來(lái)說(shuō)：簡(jiǎn)單點(diǎn)。對(duì)于人類發(fā)展而言，肯定是從某個(gè)事物簡(jiǎn)單的的部分開(kāi)始深入研究發(fā)展，教學(xué)也是相同的道理，從某個(gè)簡(jiǎn)單部分開(kāi)始更能夠讓人入門了解一個(gè)事物，然后再步步深入。
MOS管導(dǎo)通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的導(dǎo)通條件 MOS管的開(kāi)關(guān)條件： N溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通； P溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通。
MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
AO6601" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
AM30N10-70D-T1-PF
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
MOS管的基本原理是利用一個(gè)金屬柵極、氧化物和半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)來(lái)控制導(dǎo)體的電阻。在 MOS管中，半導(dǎo)體材料通常是硅。
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
AO6601" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
正是當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于backgate是負(fù)電壓時(shí)的情況。硅表層看上去更重的摻雜了，這個(gè)器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了。電場(chǎng)反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。
文章來(lái)源： www.bychip.cn
