bychip可替代_FQU15N06L導(dǎo)讀
這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。
MOS管分類按溝道分類，場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型：增強(qiáng)型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流也為零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流不為零。
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bychip可替代
對(duì)于人類發(fā)展而言，肯定是從某個(gè)事物簡(jiǎn)單的的部分開(kāi)始深入研究發(fā)展，教學(xué)也是相同的道理，從某個(gè)簡(jiǎn)單部分開(kāi)始更能夠讓人入門了解一個(gè)事物，然后再步步深入。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說(shuō)白了就是NMOS相對(duì) PMOS 來(lái)說(shuō)：簡(jiǎn)單點(diǎn)。這個(gè)簡(jiǎn)單點(diǎn)，包括生產(chǎn)難度，實(shí)現(xiàn)成本，實(shí)現(xiàn)方式等等。
VGS(th)(開(kāi)啟電壓) 當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過(guò) VGS(th) 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開(kāi)啟電壓。
所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。 5、極強(qiáng)的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。 4、在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大，柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。MOS管特點(diǎn) 1、輸入阻抗非常高，因?yàn)镸OS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達(dá)上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開(kāi)關(guān)。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應(yīng)電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 2、導(dǎo)通電阻低，可以做到幾個(gè)毫歐的電阻，極低的傳導(dǎo)損耗，。 3、開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗低，特別適應(yīng)PWM輸出模式。
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設(shè)計(jì)的時(shí)候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過(guò)這個(gè)最大電壓。
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FDS4559-NL
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，其主要作用是在電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)控制等功能。
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
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如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。
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