IPL65R130C7 綜述 指標參數(shù) 文件 訂單 設(shè)計支持 視頻 包裝 質(zhì)量 支持 英飛凌的 coolmos™ c7超結(jié) mosfet 系列是技術(shù)的一次突破性進步,在全球范圍內(nèi)實現(xiàn)了低 r ds(on) /封裝,并且得益于其低開關(guān)損耗,可在全負載范圍內(nèi)提高效率. 特征描述 650v電壓 具有突破性且出色的r ds(on) /封裝 減少儲存在輸出電容中的能量 (eoss) 低柵極電荷q g 通過使用更小的封裝或減少零部件節(jié)省空.
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