IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF
產(chǎn)品屬性 類型 描述 選擇
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
17A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
90 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），70W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
基本產(chǎn)品編號
IRF530
以下是IRF530NSTRLPBF的一些特點(diǎn)：
高功率處理能力：IRF530NSTRLPBF能夠承受較高的功率，具有最大112W的功率處理能力，適用于需要處理大功率的應(yīng)用。
低導(dǎo)通電阻：該晶體管具有低導(dǎo)通電阻，能夠提供較低的導(dǎo)通壓降，有利于減小功耗和提高效率。
低輸入電容：IRF530NSTRLPBF具有較低的輸入電容，減少了輸入信號的響應(yīng)延遲，提高了開關(guān)速度。
快速開關(guān)時(shí)間：該晶體管具有較快的開關(guān)速度，能夠迅速地將輸出信號從低電平切換到高電平或從高電平切換到低電平。
高耐壓特性：IRF530NSTRLPBF具有較高的耐壓特性，最大耐壓為100V，使其能夠應(yīng)對高壓應(yīng)用場景。
封裝形式：該晶體管采用TO-220封裝，便于焊接和安裝，適用于現(xiàn)有的電路設(shè)計(jì)和布局。
應(yīng)用廣泛：由于IRF530NSTRLPBF具有高功率處理能力和快速開關(guān)速度，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器、汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。
總的來說，IRF530NSTRLPBF是一款高功率處理能力、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性的N溝道MOSFET功率晶體管，適用于需要處理大功率和快速開關(guān)的各種應(yīng)用場景。
