華軒陽電子NMOS場效應(yīng)管
HXY5N10AI SOT-23
N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續(xù)漏極電流(Id):5A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,4A VGS(th)開啟電壓: 1.2V~2.5V
描述
HXY5N10AI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),可提供出色的RDS(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
一般功能
VDS=100V ID=5A
RDS(ON)<125mΩ@VGS=10V
應(yīng)用
蓄電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
ESD5Z5.0C-HXY
PESD5V0U1UA
HESDLC5VB1AF-A
HESDUC5VB1AF-A
PESD24VS2UT
HXY5N10AI 5A
HXY2300AI 6A
HXY2302AI 3A
HXY5N10AI
發(fā)布時(shí)間:2023/9/6 13:44:00 訪問次數(shù):81 發(fā)布企業(yè):深圳市釗展電子科技有限公司
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