集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 600 V 集電極—射極飽和電壓 1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流 130 A 柵極—射極漏泄電流 400 nA
功率耗散 445 W 最大工作溫度 + 125 C
封裝 / 箱體 34MM 柵極/發(fā)射極最大電壓 +/- 20 V
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英飛凌IGBT模塊（BSM100GB60DLC）
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英飛凌IGBT模塊（BSM100GB60DLC） ，
EUPECBSM100GB60DLC
產品 IGBT Silicon Modules 配置 Dual
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在25 C的連續(xù)集電極電流 130 A 柵極—射極漏泄電流 400 nA
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功率耗散 445 W 最大工作溫度 + 125 C
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