N+PMOS場(chǎng)效應(yīng)管
AO4612-MS sop-8(美森科MSKSEMI)5A 60V
類型：N+P溝道，N路：漏源電壓(Vdss)：60V 連續(xù)漏極電流(Id)：5A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V, 80mΩ@4.5V, 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.2V至2.5V VDS=VGS,ID=250μA，P路： 漏源電壓(Vdss)：-60V 連續(xù)漏極電流(Id)：-4A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：700mΩ@10V, 115mΩ@4.5V, 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：-1.2V至-2.5V VDS=VGS,ID=250μA，
概述
AO4612采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)MOSFET，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。互補(bǔ)MOSFET可以用于H橋、逆變器和其他應(yīng)用。
功能
n溝道p溝道
VDS（V）=60V-60V
ID=4.5A（VGS=10V）-3.2A（VGS=-10V）
RDS
<56mW（VGS=10V）<105mW（VGS=-10V）
<77mW（VGS=4.5V）<135mW（VGA=-4.5V）
AO4612-MS 美森科
ES3JB MSKSEMI
ES3GB 美森科
US2MB MSKSEMI
US2GB 美森科
FDC6327C MSKSEMI
SS12-MS 美森科
AO4612-MS MSKSEMI
