供應(yīng)FQD5N60C原裝現(xiàn)貨

數(shù)據(jù)列表FQD5N60C, FQU5N60C
產(chǎn)品相片TO-263
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
PCN Design/SpecificationPassivation Material 26/June/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品家庭FET - 單系列QFET™包裝帶卷 (TR)FET 類型MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）2.8A （Tc）不同Id、Vgs 時的Rds On（最大值）2.5 歐姆 @ 1.4A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)19nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)670pF @ 25V功率 - 最大值2.5W安裝類型表面貼裝封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝D-Pak產(chǎn)品目錄頁面1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱FQD5N60CTM-ND
FQD5N60CTMTR