制造商:
Toshiba
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:
P-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
11.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
156 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
