標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類(lèi)別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：- IRF830PBF
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.5A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 歐姆 @ 2.7A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：610pF @ 25V
功率 - 最大：74W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件
其它名稱(chēng)：*IRF830PBF
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