型號：SIR5802DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 SIR578DP-T1-RE3 SIDR578EP-T1-RE3
TrenchFET®第五代功率 MOSFET 可為隔離式和非隔離式拓撲提供更高的功率密度和效率。超低導通電阻、高達 +175°C 的工作溫度以及 Vishay 節(jié)省空間的 PowerPAK® 封裝有助于通過鍵合無引線結構提高板級可靠性。該系列經(jīng)過 100% RG 和 UIS 測試，符合 RoHS 標準且不含鹵素。
特性 極低的 RDS- QgFOM 經(jīng)過調(diào)節(jié)可實現(xiàn)非常低的 RDS- QOSSFOM 應用 同步整流 初級側開關 DC/DC 轉換器 太陽能微型逆變器 電機驅(qū)動開關 電池和負載開關 工業(yè)電機驅(qū)動 電池充電器
